Subject: SEMICONDUTORES
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ABNT
GOZZO, Gabriel Canale. Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs. 2010. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) – Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2010. Disponível em: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdf. Acesso em: 04 maio 2024.APA
Gozzo, G. C. (2010). Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs (Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação). Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdfNLM
Gozzo GC. Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdfVancouver
Gozzo GC. Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 04 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdf
